国务院通过两大集成电路重大专项方案

　　国务院总理23日主持召开国务院常务会议，审议并原则通过两个国家科技重大专项实施方案。

　　会议指出，“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”和“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”两个国家科技重大专项，是二十一世纪信息战略高技术的发展重点。要通过专项的实施，逐步实现核心电子器件的国产化，形成具有国际竞争力的高端通用芯片和基础软件研发与产业化体系；掌握具有自主知识产权的集成电路制造成套先进工艺与所需新材料技术，带动装备制造业和材料产业的发展，促进产业结构调整，提高国家核心竞争力。会议认为，以上两个重大专项经过科学、民主、严格的论证，已基本成熟，具备启动实施的条件，各有关部门要根据会议提出的意见进一步完善方案，抓紧组织实施。

　　2000年，国务院曾公布《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(业内称“18号文件”)，当时被当成国家对集成电路产业快速发展的促进，然而围绕“新18号文件（《关于进一步鼓励软件和集成电路产业发展的若干政策》）”的出台一直有诸多猜测和期待。此次两大专项的通过似乎是在明显表示：国家对集成电路的鼓励政策更加坚定。

　　这两大专项直指中国集成电路产业链上薄弱的芯片设计和芯片制造环节。虽然有曾经的“908”、“909”工程，虽然已经过多年的发展，中国集成电路产业的落后依然不容置疑。必须承认，整体的产业结构严重失衡，设计企业少而弱，制造方面虽有半导体巨头纷纷设厂，但以封装测试为主，而且由于国外政策的限制，制造工艺均落后于国外。至于制造设备，几乎完全依赖进口。

　　1956年，中国提出“向科学进军”，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。

　　1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

　　1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

　　1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

　　1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

　　1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

　　七十年代初，全国掀起了建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成。

　　1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

　　1973年，我国7个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条3英寸工艺线年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子中心）研制的ECL型（发射极耦合逻辑）电路。

　　1982年，江苏无锡的江南无线厂）IC生产线建成验收投产，这是中国第一次从国外引进集成电路技术。

　　1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。

　　1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。

　　1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。

　　1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。

　　1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。

　　1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。

　　1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。

　　1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。

　　1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线英寸圆片的生产能力。

　　1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。

　　1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。

　　1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。

　　1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。

　　1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线日，国务院颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》。 随后科技部依次批准了上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳共7个国家级IC设计产业化基地。

　　2001年 2月27日，直径8英寸硅单晶抛光片国家高技术产业化示范工程项目在北京有色金属研究总院建成投产；3月28日，国务院第36次常务会议通过了《集成电路布图设计保护条例》。

　　2002年9月28日，龙芯1号在中科院计算所诞生。同年11月，中国电子科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径6英寸半绝缘砷化镓单晶，实现了我国直径6英寸半绝缘砷化镓单晶研制零的突破。

　　2003年 3月11日，杭州士兰微电子股份有限公司上市，成为国内IC设计第一股。

　　2008年《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园。

　　1月26日消息，据9to5Google报道，谷歌Pixel 3系列不再推送更新，谷歌方面称“3年的更新维护周期给消费者提供了非常棒的使用体验”。然而9to5Google指出，谷歌的回复令人心寒，三星一直在试图为手机提供4年更新支持，苹果甚至连7年前的手机都提供iOS更新，相比之下谷歌仅提供三年更新说不过去。资料显示，谷歌Pixel 3系列包括Pixel 3和Pixel 3 XL两款机型，它们同时发布于2018年10月，Pixel 3 64GB版本首发价799美元（约合人民币5054元），Pixel 3 XL 128GB版首发价999美元（约合人民币6319元）。它们均搭载高通骁龙845处理器，

　　1月26日，据路透社报道，Realme创始人兼CEO李炳忠表示，该公司将在下个月以其最高价的机型进入欧洲高端手机市场，以扩大廉价系列以外的产品线，并使其今年全球智能手机销量增加50%。李炳忠表示，Realme计划于2月开始在欧洲各地销售高端GT 2 Pro手机，定价为700-800美元。报道称，这大约是其目前通过亚马逊销售的GT大师版349欧元(395美元)建议售价的两倍，与市场领导者苹果、三星的其他高端手机价格水准比肩。根据研究公司Counterpoint Research估计，欧洲智能手机市场在2021年1-11月产生的营收为806.5亿美元，其中高端手机占555.6亿美元。“欧洲几乎所有的增长都是由高端产品推动的，这主要

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　　1月21日下午消息，针对市场传闻吉利集团旗下手机公司正在与魅族接触洽谈收购事宜，吉利控股官方回应表示，对市场传闻不予置评，目前星际时代高端手机研发业务正在有序进展，希望打造开放融合的生态伙伴关系。另外，魅族方面就此回应称，“目前还没有相关消息”。据36氪报道，吉利集团旗下手机公司正与手机厂商“魅族”接触洽谈收购事宜。多位接近交易的人士表示：“交易还在进行中，正在做 DD（尽职调查）。”在收购价格方面，由于交易尚未结束，作价并未明确。去年9月，吉利控股集团发文称，李书福进军手机领域，定位高端服务全球。2021年9月28日，由李书福创办的湖北星纪时代科技有限公司与武汉

　　1月17日，宜兴经济技术开发区举行重大项目集中开工仪式，10只重大项目总投资人民币近140亿元。中环半导体两大项目在此次集中开工的重大项目之列，包括高速低功耗集成电路用高端硅基材料的研发与生产项目、年产30GW高纯太阳能超薄硅单晶片智慧工厂及配套项目。宜兴发布消息显示，中环领先高速低功耗集成电路用高端硅基材料的研发与生产项目总投资50.67亿元，利用中环领先厂区预留用地新建厂房，建成后将主要新增集成电路用8英寸抛光片延伸产品产能，应用于高速低功耗集成电路相关产品。中环应材年产30GW高纯太阳能超薄硅单晶片智慧工厂及配套项目总投资32.53亿元，利用并改扩建中环产业园内现有厂房及配套建筑，研发引进行业先进的工艺设备和自动化设施，并进

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